Ученые из Корейского института передовых технологий разработали новую технологию создания гибкой флеш-памяти. В качестве подложки для такой памяти могут использоваться гибкие полимеры или бумага. Статья опубликована в журнале Nature Communications.
Ученые давно работают над созданием технологий, позволяющих сделать повседневные электронные устройства гибкими. Например, уже существуют прототипы гибких дисплеев, аккумуляторов и солнечных панелей. Но для полноценного устройства этого недостаточно — необходимы также сделать гибкими процессор и память. Несмотря на то, что в этой области уже есть некоторые наработки, пока они гораздо дальше от реального использования, чем гибкие дисплеи или аккумуляторы.
Корейские ученые разработали новую технологию создания гибких модулей флеш-памяти. Созданная исследователями память, как и обычная флеш-память, состоит из транзисторов, в которых помимо управляющего затвора есть плавающий затвор. Именно он и отвечает за хранение информации: при отсутствии заряда на нем транзистор проводит ток, а при наличии — нет.
В предложенной исследователями схеме сток и исток состоят из алюминия и кальция, канал из фуллеренов C60, а оба затвора (управляющий и плавающий) из алюминия. В качестве материалов диэлектриков между затворами и каналом исследователи выбрали два полимера, благодаря которым транзистору требуется относительно небольшое напряжение для записи (около десяти вольт), и, по расчетам, он может сохранять значение информации в течении долгого времени — около десяти лет.
Для создания такой структуры ученые предложили использовать химическое осаждение из газовой фазы. За счет этого они смогли создать такую флеш-память на разных подложках: полиэтилентерефталате и даже специальной бумаге, используемой для сублимационной печати. Исследователи провели механические испытания прототипов памяти, созданных на полимерной подложке, и выяснили, что она сохраняет способность хранить и изменять информацию при изгибе вокруг окружности радиусом 4,5 миллиметра, что эквивалентно растяжению на 2,8 процента, а также после десяти тысяч изгибов, эквивалентных растяжению на 1,1 процента.
Недавно другая группа исследователей из Кореи и США разработала новый метод послойного осаждения золотых и оксидных наночастиц на целлюлозные волокна бумаги, с помощью которого можно получить гибкий материал для электродов суперконденсаторов.
Григорий Копиев
Средняя частота ошибок составила 29 процентов
Французские исследователи разработали неинвазивный интерфейс для декодирования набираемого на клавиатуре текста по активности головного мозга. Для сбора данных используются магнитоэнцефалография и электроэнцефалография. За преобразование сигналов головного мозга в последовательности символов отвечает созданная исследователями нейросетевая модель Brain2Qwerty. Лучшие результаты получились при использовании магнитоэнцефалографии. Средняя частота ошибок в символах при использовании этого метода оказалась на уровне 29 процентов, против 65 процентов у ЭЭГ. Статья с результатами опубликована в журнале Nature Neuroscience.