Химикам впервые удалось получить двумерную
прямоугольную
пленку из двух разных перовскитных
материалов.
Центральная область
состоит
из одного перовскита, а обрамление шириной в один микрон — из
другого, причем граница
между ними очень четкая, с почти атомарным
разрешением.
Для
того,
чтобы
стабилизировать границу между двумя материалами, ученые
затормозили миграцию галогенид-ионов
в перовските, с
помощью слоя
битиофенилэтиламмония.
Результаты
исследования опубликованы
в журнале
Nature.
Полупроводниковые
свинцово-галогенидные материалы со
структурой перовскита
—
восходящая звезда современной электроники.
Эти
материалы дешевы, просты в получении
(можно
получать растворными методами)
и при этом
сочетают
в себе несколько полезных свойств:
высокие
коэффициенты поглощения,
толерантность
к
дефектам и
большие времена жизни носителя заряда.
Эффективность
перовскитных
солнечных
элементов
всего
за десять
лет поднялась с 3,8 до 25,2 процентов,
также
на их основе изготавливают люминесцентные
светоизлучающие
диоды
и
фотодетекторы.
В
настоящее время ученые
работают над повышением
стабильности перовскитов: пока она
недостаточна для выхода
на рынок.
Кристаллическая
решетка перовскита c
формулой
APbX3
(Pb
— свинец,
X
— галогенид-ион,
как правило иодид или бромид)
состоит
из соединенных вершинами октаэдров
PbX6, между
слоями которых расположены крупные А-катионы:
цезий
или органические
производные аммония —
метиламмоний или формамидиний.
Недавно
ученые научились получать изолированные
слои этого материала —
так
называемые двумерные или 2D-перовскиты
(здесь
можно провести аналогию со слоистым
графитом и его 2D-формой
— графеном). В
2D-перовските
часть
А-катионов
заменяют на более
объемные катионы (чаще всего это тоже
производные
аммония
с длинными разветвленными
«хвостами»),
которые
формируют разделяющий слой, в
результате материал имеет структуру
сэндвича — слой октаэдров
PbX6
располагается
между двумя слоями органических катионов.
Траснспортные
свойства (время жизни и длина пробега
носителся заряда), а
также квантовый выход люминесценции у
двумерных
перовскитов
даже лучше, чем у стандартных трехмерных,
поэтому
эти материалы очень перспективны для
создания фотодетекторов и другой
оптоэлектроники.
Двумерный
материал можно собрать и из нескольких
перовскитов разного состава. Такие
двойные
или тройные
материалы
(гетероструктуры)
делятся
на вертикальные
и
латеральные.
В
вертикальных гетеростуктурах чередуются
слои разного состава, например,
первый
слой может состоять из свинцово-иодидных
октаэдров PbI6,
второй
из производного
аммония,
а третий
— из
свинцов-бромидных
октаэдров PbBr6.
В
латеральных гетероструктурах
переход
от одного состава к другому происходит
в
плоскости одного слоя —
но они обязательно должны быть четко
отделены от друга, иначе получится не
гетероструктура, а просто смешанный
материал. Комбинируя
разные составы перовскитов, можно
получать материал с желаемыми оптическими
и транспортными характеристиками,
поэтому
такие структуры представляют для ученых
и инженеров особый интерес. Впрочем,
на практике
с
их
синтезом пока
что есть трудности —
и
особенно
это касается латеральных структур. Дело
опять
в недостаточной
стабильности
перовскитов: например, в них происходит
процесс миграции галогенид-ионов из
одной области в другую, в результате на
границах двух областей формируются
переходные зоны со смешанным составом.
Группе химиков и инженеров под руководством Бретта Савойе (Brett M. Savoie) из Университета Пёрдью впервые удалось получить латеральные перовскитные гетероструктуры с атомарным разрешением. Перовскиты растили на текстурированных подложках из диоксида кремния, допированного кремнием (Si/SiO2), это нужно для того, чтобы задать правильную ориентацию для кристаллической решетки (такой процесс называют эпитаксией). Двумерный слой наносили путем медленного испарения очень разбавленных растворов солей свинца — иодида PbI2 и бромида PbBr2 — с соответствующими солями различных органических производных аммония — LI и LBr в смеси хлорбензола, дихлорбензола и ацетонитрила. Первым всегда наносили перовскит с худшей растворимостью — для того, чтобы во время нанесения второго слоя первый не начал растворяться. Например, чтобы получить гетероструктуру (L)2PbI4—(L)2PbBr4 подложку наносили 5 -10 микролитров раствора PbBr2 с LBr и помещали ее в камеру, наполненную парами хлорбензола на 10-30 минут. Растворитель в такой камере испарялся медленно, поэтому скорость кристаллизации была также низкой, и вместо множества мелких кристаллитов удавалось получить один крупный монокристаллический лист перовскита (L)2PbBr4, который, как правило, был по форме близок к прямоугольнику.
После
испарения всего раствора, наносили
второй раствор PbI2
с
LI
и
повторяли весь процесс, при этом второй
перовскит (L)2PbI4
кристаллизовался вокруг первого, образуя
прямоугольную раму.
В результате получались
прямоугольные
пленки
со
стороной от 5 до 10 микрон,
ширина иодидной
рамы
составляла
в
среднем 1-2
микрон. Толщина пленок зависела
от концентрации раствора и времени роста и составляла
от 5 до 15 нанометров,
то
есть от одного до трех слоев перовскита.
Анализ
образцов методом просвечивающей
электронной микроскопии высокого
разрешения показал, что граница между
материалами очень четкая — с почти
атомарным разрешением. Оптические
свойства (поглощение
и люминесценция)
каждого материала в
такой структуре остаются неизменными,
например в
случае (L)2PbI4—(L)2PbBr4, ее
бромидный центр не люминесцировал, в
то время как иодидная рама светилась
характерным для этого материала зеленым
светом с длиной волны 515 нм.
Для
того, чтобы сохранить границу разделения
материалов четкой, авторы экспериментировали
с различными слоями
органических катионов. Оказалось, что использование разделяющих
слоев из битиофенилэтиламмония
(2T)
эффективно
предотвращает
миграцию галогенид ионов и
не дает материалам смешиваться. С помощью
теоретического
моделирования
авторы нашли
два механизма, за счет которых происходит
такая
стабилизация
границ.
Во-первых,
битиофенилэтиламмоний
с самого начала препятствует деформации
на границе двух материалов. Дело в том,
что, хотя
строение
кристаллической решетки у двух
перовскитных материалов
одинаковое,
ее размерные параметры отличаются,
поэтому
на границе
обе
решетки искажаются, стремясь
подстроиться друг под друга: октаэдры
PbI6
становятся
чуть меньше по размеру, а
PbBr6
наоборот
— чуть больше. В
такой деформированной решетке
все атомы изначально немного смещены,
поэтому дальнейшее
смешивание и взаимное проникновение
происходит легче. Битиофенилэтиламмоний
— это разветвленный катион с двумя
объемными ароматическими
кольцами
в своем составе, которые
могут дополнительно взаимодействовать
друг с другом за счет пи-электронной
плотности.
Он
образует толстый и
довольно
жесткий
слой, который изначально
блокирует подстройку двух
решеток,
в результате граница материалов
получается
более стабильной. Кроме
того, расчеты показывают, что в таком
материале энергетический барьер для
образования галогенидной
вакансии
выше, поэтому
вакансии
образуются значительно реже
и
миграция галогенид-ионов
затруднена.
Добавка
битиофенилэтиламмония
также
улучшила
и
термическую
стабильность материала. Например,
(2T)2PbI4—(2T)2PbBr4
выдерживал
нагрев до 100 градусов Цельсия в течение
одного
часа,
при этом люминесценция
образца
после
нагревания осталась неизменной
— то есть
рама
из (2T)2PbI4
светились с прежней интенсивностью, а
центральный
прямоугольник
из
(2T)2PbBr4
оставался
полностью темным.
Это весьма значительное улучшение, так
как обычно деградация перовскитных
материалов происходит
уже
при 75-80 градусах Цельсия, а
люминесценция — один из самых
чувствительных методов для отслеживания
ее начала.
С
помощью описанного подхода авторы
синтезировали
девять
различных двойных
гетероструктур —
свинец комбинировали
с двухвалентным оловом
(Sn),
бромиды
с
иодидами,
а вместо битиофенилэтиламмония
использовали
похожий
по строению тетратиофенилэтиламмоний
—
и
даже
одну тройную:
(2T)2SnI4—(2T)2PbI4—(2T)2PbBr4.
Во
всех случаях удавалось добиться разрешения,
близкого
к атомарному.
Таким
образом, автором удалось не
только впервые получить высокоразрешенные
перовскитные
гетероструктуры,
но повысить
стабильность материала за счет остановки
миграции
галогенид-ионов.
Предложенный
подход достаточно
универсален
и может применяться для
стабилизации
широкого
ряда перовскитных
материалов и
устройств.
Миграция
ионов — не единственная
причина
деградации
перовскитных
материалов.
Например, два
года назад химики
из Франции и США выяснили,
что эффективность
и стабильность перовскитных солнечных
элементов можно улучшить,
за
счет
снятия
внутреннего
напряжения в кристаллитах
перовскита.
Наталия Самойлова